MRFE6VP5600HR6 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаMRFE6VP5600HR6
-
ПроизводительMotorola Semiconductor
-
ОписаниеMotorola Semiconductor MRFE6VP5600HR6 RoHS: yes Configuration: Dual Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 1.8 MHz to 600 MHz Gain: 25 dB at 230 MHz Output Power: 600 W at Peak Drain-Source Breakdown Voltage: 130 V Gate-Source Breakdown Voltage: 10 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: NI-1230 Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 1667 W
-
Количество страниц13 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
13.05.2024
08.05.2024
07.05.2024